晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种构造办法，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N标明在高纯度硅中参加磷，是指代替一些硅原子，在电压影响下发作悠闲电子导电，而p是参加硼代替硅，发作很多空穴利于导电）。两者除了电源极性纷歧样外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流拓宽原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体基地夹着一块P型半导体所构成，发射区与基区之间构成的PN结称为发射结,而集电区与基区构成的PN结称为集电结,三条引线别离称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏情况，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏情况，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制作三极管时，有知道地使发射区的大都载流子浓度大于基区的，一同基区做得很薄，并且，要严峻操控杂质含量，这么，一旦接通电源后，因为发射结正偏，发射区的大都载流子（电子）及基区的大都载流子（空穴）很简略地跳过发射结彼此向对方涣散，但因前者的浓度基大于后者，所以经过发射结的电流根柢上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。

因为基区很薄,加上集电结的反偏，写入基区的电子大有些跳过集电结进入集电区而构成集电集电流 Ic，只剩余很少（1-十%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb从头补给，然后构成了基极电流Ibo.依据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这即是说，在基极抵偿一个很小的Ib，就能够在集电极上得到一个较大的Ic，这即是所谓电流拓宽效果，Ic与Ib是坚持必定的比例联络，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流拓宽倍数， 集电极电流的改动量△Ic与基极电流的改动量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为沟通电流拓宽倍数，因为低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了便当起见，对两者不作严峻区别，β值约为几十至一百多。

三极管是一种电流拓宽器材，但在实习运用中常常运用三极管的电流拓宽效果，经过电阻改动为电压拓宽效果。

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