半导体三极管的参数

2017-05-07 15:13分类：电子元器件阅读：

半导体三极管的参数分为直流参数、沟通参数和极限参数三大类。
1.共发射极直流电流拓宽系数
＝（IC－ICEO）/IB ≈ IC / IB|vCE＝const

在拓宽区根柢不变。在共发射极输出特性曲线上，经过笔直于X轴的直线(vCE＝const)来求取IC/IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一联络见图2。


图1 在输出特性曲线上挑选	图2 值与IC的联络

2.集电极－基极间反向丰满电流ICBO
ICBO的下标CB代表集电极和基极，O 是Open的字头，代表第三个电极 E 开路。它恰当于集电结的反向丰满电流。
2.集电极－发射极间的反向丰满电流ICEO
ICEO和ICBO有如下联络
ICEO＝（1＋）ICBO
恰当基极开路时，集电极和发射极间的反向丰满电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。

图3 ICEO在输出特性曲线上的方位

3.共发射极沟通电流拓宽系数β
b ＝DIC/DIB½
在拓宽区，b 值根柢不变，可在共射接法输出特性曲线上，经过笔直于 X 轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上经过求某一点的斜率得到b 。具体办法如图4所示。

图4 在输出特性曲线上求取β

4、集电极最大容许电流ICM
如图2所示，当集电极电流添加时，b 就要下降，当b 值下降到线性拓宽区b 值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大容许电流ICM。至于b 值下降多少，纷歧样类型的三极管，纷歧样的厂家的规矩有所纷歧样。可见，当IC＞ICM时，并不标明三极管会损坏。
5、集电极最大容许功率损耗PCM
集电极电流经过集电结时所发作的功耗，PCM＝ ICVCB≈ ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗首要会集在集电结上。在核算时一般用VCE替代VCB。
6、反向击穿电压
反向击穿电压标明三极管电极直接受反向电压的才调，其查验时的原理电路如图5所示。

图5 三极管击穿电压的查验电路

1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O 代表第三个电极 E 开路。
2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于V(BR)CER标明 BE 直接有电阻，V(BR)CES标明 BE 间是短路的。几个击穿电压在巨细上有如下联络：
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
由最大集电极功率损耗 PCM、ICM 和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还能够断定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。