二极管的功用可用其伏安特性来描绘。在二极管两头加电压U，然后测出流过二极管的电流I，电压与电流之间的联络i=f(u)便是二极管的伏安特性曲线，如图1所示。

图1 二极管伏安特性曲线

二极管的伏安特性表达式能够标明为式1-2-1

（1）

其间iD为流过二极管两头的电流，uD为二极管两头的加压，UT在常温下取26mv。IS为反向饱满电流。

1、正向特性

特性曲线1的右半有些称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，简直等于零。只需当二极管两头电压跨过某一数值Uon时，正向电流才显着增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的资料有关。通常硅二极管的死区电压为0.5V分配，锗二极管的死区电压为0.1V分配。

当正向电压跨过死区电压后，跟着电压的添加，正向电流将活络增大，电流与电压的联络根柢上是一条指数曲线。由正向特性曲线可见，流过二极管的电流有较大的改动，二极管两头的电压却根柢坚持不变。通过在近似剖析核算中，将这个电压称为翻开电压。翻开电压与二极管的资料有关。通常硅二极管的死区电压为0.7V分配，锗二极管的死区电压为0.2V分配。

2、反向特性

特性曲线1的左半有些称为反向特性，由图可见，当二极管加反向电压，反向电流很小，而且反向电流不再跟着反向电压而增大，即到达了饱满，这个电流称为反向饱满电流，用符号IS标明。

假定反向电压持续添加，当跨过UBR往后，反向电流急剧增大，这种景象称为击穿，UBR称为反向击穿电压。二极管

图2 二极管的温度特性

击穿后不再具有单导游电性。应当指出，发作反向击穿不意味着二极管损坏。实习上，当反向击穿后，只需留神操控反向电流的数值，不使其过大，即可防止因过热而烧坏二极管。当反向电压下降后，二极管功用仍或许康复正常。

温度添加，正向特性左移，反向特性下移；室温邻近，温度每添加1℃；正向压降削减2-2.5mV；室温邻近，温度每添加十℃，反向电流增大一倍。二极管的温度特性如图2所示。

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