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单向可控硅构造及作业原理

2017-05-08 15:01分类:电子元器件 阅读:

  单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部操控信号效果下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去掉负载或下降其两头电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN构成的四层三端半导体器材与具有一个PN结的二极管比照,单向可控硅正导游通受操控极电流操控;与具有两个PN结的三极管比照,纷歧样在于可控硅对操控极电流没有拓宽效果。
一.单向可控硅构造
1、构造:
四层半导体
三个PN结
三个电极:阳极A:从P1引出
阴极K:从N2引出
操控极G:从P2引出


2、符号:
图形符号:


文字符号:SCR,CT,KG等
二、单向可控硅作业原理
1、演示试验:
单向可控硅试验电路图如下:

2、阐明:可控硅为啥具有上述四个作业特征?
这是由其内部构造挑选的


3、单向可控硅作业原理
①可控硅导通的条件:
A、在阳极和阴极之间加正向电压
B、一同在操控极加正触发电压
以上两个条件有必要一同具有,可控硅才会处于导通状况。其他,可控硅一旦导通后,即便下降操控极电压或去掉操控极电压,可控硅依然导通。
②使导通的可控硅关断的办法:
A、减小阳极电流至必定值(坚持电流)
B、堵截阳极电源
③可控硅具有操控强电的效果


三、单向可控硅的首要参数:

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