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怎样识别N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管的电路图形符号？

2017-02-23 09:03分类：电子元器件 阅读：

　

    图6-4 (a)所示，是N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管结构示意图。以一块杂质浓度较低的P型硅片作衬底，在它上面扩散2个高浓度N型区（图中N+处），各引出1个电极做源极S和漏极D;在漏极和源极之间，再加一层二氧化硅(Si02)绝缘层，然后在绝缘层上覆盖一层金属铝，作为栅极G。图6-4 (b)所示是它的电路符号，图中箭头表示漏极流向源极的电流方向。
    绝缘栅场效应晶体管又称金属．氧化物．半导体场效应晶体管，简称MOS管。

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