什么是场效应晶体管的低频噪声系数NF?它有怎样的特点?

2017-02-23 09:31分类：电子元器件阅读：

噪声是由管子内部载流子运动的不规律性所引起的。场效应晶体管的低频噪声要比普通晶体管小。例如3D01型MOS管和3DJ6、3DJ2结型管的噪声系数，最好的在ldB以下，通常为2～4dB。这是因为在普通晶体管中占重要地位的散粒噪声和分配噪声对场效应晶体管来说基本上可以忽略的缘故。

(1) 场效应晶体管的噪声来源

场效应晶体管的噪声主要来源于沟道电阻和漏源串联（体电阻）的热噪声，以及由栅极表面漏电、表面复合等引起的表面噪声，结型场效应晶体管是体内场效应器件，其表面噪声较小，因此，结型场效应晶体管的噪声系数比MOS管更小。

(2)噪声系数NF

噪声性能的好坏通常用噪声系数ⅣF来表示，它的单位叫分贝(dB)。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小。低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数。

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