怎样判断MOSFET场效应晶体管的好坏?

2017-02-24 08:38分类：电子元器件阅读：

用万用表判断MOSFET管好坏的方法如下，采用万用表的“R×lk”挡进行检测。

(1)测量S与G

将红表笔接触S、黑表笔接触G，测得的电阻值应为∞，对调表笔后，也应为一，如图6-13所示。

(2)测量D与G

红表笔接触D、黑表笔接触G，测得的电阻值应为∞,对调表笔后，也应为一，如图6-14所示。

(3)测量S与D

用黑表笔接触S、红表笔接触D，并用导线短接G与S两端，此时测得的电阻值为I0kΩ左右，这是二极管的正向电阻值。如图6-15所示。

(4)短接G与S两端

用黑表笔接触D、红表笔接触S，并用导线短接G与S两端，此时测得的电阻值为∞。，这是二极管的反向电阻值与D、S之间无导电沟道时电阻值，如图6-16所示。

如果测得G与S之间或G与D之间电阻值较小，或G、S接触红表笔、D接触黑表笔时，电阻值不为∞（几十kΩ或几百kΩ），则被测MOSFET管已损坏。

若测得D、S之间（红、黑笔对调测量）电阻值都为一，则说明管子中的二极管已经损坏。

以上对MOSFET管的测量是以N沟道MOSFET管为例的，测P沟道MOSFET管的方法基本相同，但极性相反。

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