怎样检测内含保护元件场效应晶体管的性能好坏？

2017-02-24 08:50分类：电子元器件阅读：

对MOSFET性能进行检测之前，先应用短导线或镊子将图6-8 (a)、(b)所示类型的NMOS管栅极与源极短接，以泄放掉管内的感应电荷。

(1)测量漏极与源极

检测时，将黑表笔接触漏极，红表笔接触源极（但手不应碰任何一个管脚，包括散热片），表指针应为∞。

(2)用手捏栅极或短接栅极与漏极

用手轻轻捏住栅极并停留几秒后，万用表指针应偏转到满刻度。如果偏转角度不明显，可用手指同时捏住栅极与漏极，也可用镊子或导线把栅极与漏极短接。当手指松开或短接点断开后，管子类型不同时，指针反映的情况不一样。

对于图6-8 (a)所示管型：万用表的指针会左右偏转但一般不会直接回刭。。（原位）的位置。

对于图6-8 (b)所示管型：万用表的指针会迅速地返回到o。（原位）的位置。

对于图6-8 (c)所示管型：因未能确定出漏极与源极，可先假定某一引脚为漏极，
并与黑表笔相连接，红表笔接源极，然后用手指捏住假定的栅极，观察表针的偏转情况。对比前后两次指针偏转的幅度，偏转较大的一次黑表笔所接的那只引脚即为漏极，用手指捏住的引脚即为栅极。

(3)需要说明的问题

PMOS场效应晶体管的测量方法与NMOS管基本相同，但在测量时应把红、黑表笔的位置互换。

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