怎样采用单万用表检测绝缘栅双极型晶体管IGBT的好坏？

2017-02-24 10:30分类：电子元器件阅读：

(1)检查基理

IGBT栅极是MOSFET构造，其控制方式为电压型，输入端类似一电容器。当IGBT栅极充满电荷后，由于本身漏电流极小，能在较长一段时间内保持电压不变。利用该特点，可采用如下方法判别。

(2)检测方法

单万用表检测法就是使用指针式万用表的“Rxlo k”挡来对绝缘栅双极晶体管进行检测的一种方法。具体方法如下。

①用万用表的红表笔接触绝缘栅双极晶体管的栅极G、黑表笔接触发射极e，此时向栅极反向充电。

②用万用表的红表笔接触绝缘栅双极晶体管的发射极e、黑表笔接触集电极c，此时万用表的指针应不动，处于电阻值很大状态，由此说明所测管没有被击穿。
③用万用表的黑表笔接触绝缘栅双极晶体管的栅极G、红表笔接触发射极e，此时向栅极正向充电。

④用万用表的红表笔接触绝缘栅双极晶体管的发射极e、黑表笔接触集电极c，此时万用表的指针应指示为零。

如被测管符合上述规律，则就说明该管的饱和导通与截止状态均基本正常，未损坏。

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