晶体管的构造和分类

2017-10-27 08:22分类：电子元器件阅读：

晶体管由两个PN构构成，分红三层，依照P型和N型摆放的次第纷歧样，可分为NPN型和PNP型两类，构造暗示图和电路符号如下图所示。依据所运用的资料纷歧样，晶体管又可分为NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管。
由下图可知，两类晶体管都分红基区、发射区、集电区，别离引出的电极称为基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。基区和发射区之间的结称为发射结；基区和集电区之间的结称为集电结。NPN型和PNP型符号的差异是发射极的箭头方向纷歧样。
晶体管内部构造上的特征是：发射区杂质浓度最高，即多子浓度最高，体积较大；基区很薄且杂质浓度极低；集电区体积最大，杂质浓度较发射区低。这是晶体管具有电流拓宽效果的内部条件。