MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极别离是源极(S)、漏极(D)和栅极(C)。首要利益：热安稳性好、安全作业区大。缺陷：击穿电压低，作业电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相联络的商品。它的三个极别离是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特征：击穿电压可达1200V，集电极最大饱满电流已跨过1500A。由IGBT作为逆变器材的变频器的容量达250kVA以上，作业频率可达20kHz。

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