晶体管所能接受的电压、功率耗散以及所经过的电流都是有必定极限的，当其跨过额外值时，轻则影响晶体管的作业功用，严峻时将使其损坏。以下介绍晶体管的首要极限参数。
1.集电极最大容许耗散功率Pcm
Pcm是指晶体管因温度添加致使参数的改动不跨过规矩值时，集电极所耗费的最大功率。 晶体管在正常作业时，集电结加的是反向偏置电压，集电结的反向电阻很高，这么，集电极电流流过集电结时就要发作许多的热量，结温就会添加，若温度过高，将致使晶体管不行反转的损坏。咱们依据晶体管最高容许结温定出最大容许耗散功率。为了降低结温，关于大功率晶体管，咱们通常要另设散热片，散热片外表积越大，散热效果越好，晶体管的Pcm就能够恰其时进。
2.集电极最大容许电流Icm
集电极电流增大，会致使晶体管的电流拓宽倍数β降低，当β降至低频电流拓宽倍数βo的额外倍数（通惯例矩为二分之一或三分之一）时，此刻的集电极电流称为集电极最大容许电流Icm。因而，当晶体管的集电极电流抵达Icm时，晶体管虽不致损坏，但电流拓宽倍数已大凹凸降低。
3.集电极--发射极击穿电压BVCEO
BVCEO是指晶体管基极开路时，加在晶体管集电极与发射极之间的最大容许电压。关于NPN型晶体管而言，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极；关于PNP型晶体管而言，集电极接电源的负极，发射极接电源的正极。
当加在晶体管集电极与发射极之间的电压大于BVCEO的值时，流过晶体管的电流会俄然增大，致使晶体管耐久性损坏，这种景象称为击穿。

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