为简略起见，以图1所示的二极管存储器为例来阐明ROM的作业原理。

图1 二极管ROM电路

　（1）存储阵列
　　存储阵列有条字线和四条位线，构成16个交叉点。经过在交叉点处接或没有接二极管，就能够在该点存1或存0，所以每点都是一个根柢存储单元。例如，字线W0在两处与位线接有二极管。当W0被译码器选中为高电平（别的字线未选中均为低电平）时，两个二极管导通，使位线D2和D0为1，这恰当于接有二极管的交叉点存1；而没有接二极管的别的两个交叉点，位线D3和D1为0，恰当于未接二极管的交叉点存0。因为各根柢存储单元的内容有二极管的散布挑选，方案和制作时已彻底断定不能改动，并且所存的信息不会因断电而不见。故ROM也称固定存储器。
　　（2）地址译码器
　　图示的是一个二极管译码器，咱们知道，两位地址代码A1A0能断定四个纷歧样的地址。依据译码电路的逻辑联络，地址译码器输出的四个地址别离是：

　　　　　　　

　　即当A1A0别离为00，01，十，11四种组合时，字线W0，W1，W2，W3别离为1而被选中。例如，本地址代码A1A0=00时，地址译码器中只需与字线W0相连的两个二极管的阴极一起为1，二极管“与”门输出W0=1（别的字线W1，W2，W3均为0）。所以，存储阵列输出的数据为D3D2D1D0=十十。
　　地址译码用具有如下特征：
　　（1）最小项译码
　　n个地址变量A0～An-1最小项的数目是N=2n，译码器的输出字线的数目也为N条：W0～WN-1。图十.1.2所示，当ROM地址译码器有两个输入地址代码A1和A0，悉数最小项为。即共有N==4个最小项及4条字线，最小项其编号如表十.1.1所示。故地址译码器也是最小项译码器。四个地址的存储内容也列于表1中。
　　（2）N取1译码
　　这即是说，不管An-1…A1A0为何种取值，N条字线W0～WN-1中只能有一条为高电平。因而，地址译码器是N取1译码器。
　　
　　　　　　　　　　　　　　　　表1 N取1译码及ROM存储内容
　　ROM就其电路的全体构造来看：

图2 简化的ROM存储阵列图

　　·地址译码器是一个“与”逻辑阵列。
　　参看二极管“与”门逻辑电路，会发现图1的译码器富含四个"与"门：
　　·存储阵列是一个“或”逻辑阵列
　　参看二极管“或”门逻辑电路，会发现图1贮存阵列中富含四个"或"门：　　
　　有了上述的两个概念，咱们能够将图1所示的ROM电路能够简略标明成图2所示的简化电路。将有二极管的根柢存储单元用一黑点标明。

　　ROM的存储阵列也可由双极型晶体管和MOS型场效应管构成，别离如图3和图4所示。存储阵列中每个根柢存储单元存储内容也是以该单元有无管子来标明的。

图3 双极型晶体管存储阵列		图4 MOS型存储阵列

　　在图3中，字线和位线交叉点接有晶体管时，恰当于存1，无晶体管时恰当于存0。W0～W3中某字线被选中时给出高电平，使接在这条字线上悉数晶体管导通，这些晶体管的发射极所接的位线为高电平，因而使数据输出端输出信息1。
　　在图4中，若W0～W3中某字线被选中输出高电平，使接在这条字线上的悉数NMOS管导通，这些管子的漏极所接的位线为低电平，经反相器后，使数据输出端输出信息1。

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