场效应管的电流操控机理与双极型晶体管纷歧样，它是由电场来操控载流子导电通道的巨细来操控电流巨细的。对结型场效应管，这个电场是反向ＰＮ结的内电场；对ＭＯＳ管，则是由外加栅压和衬底之间构成外表电场。以Ｎ沟道结型场效应管为例。在 时，只需加上正的漏-源电压VDS，Ｎ型半导体中的大都载流子--自电子就由源极经过Ｎ型半导体向漏极漂移，或许说有漏极电流ID从漏极流向源极。这个Ｎ型半导体构成了安闲电子或电流的通道，叫做"沟道"。沟道的厚薄，或许说沟道的电阻受Ｐ型栅极和Ｎ型沟道间反向ＰＮ结的内电场，也即是栅源电压VGS巨细的操控由于电流ID是由Ｎ型半导体中大都载流子的漂移构成，所以场效应管是多子导电（即便在ＭＯＳ管中也是这么）。

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