双极型CMOS(或BiCMOS)的特征在于，运用了双极型器材的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因此这种逻辑门电路遭到用户的注重。
1.BiCMOS反相器

图1 根柢的BiCMOS反相器电路

图1标明根柢的BiCMOS反相器电路，为了了解起见，MOSFET用符号M标明，BJT用T标明。T1和T2构成推拉式输出级。而MP、MN、M1、M2所构成的输入级与根柢的CMOS反相器很相似。输入信号vI一同效果于MP、MN的栅极。当vI为高电压时，MN导通而MP截止；而当vI为低电压时，状况则相反，MP导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能供给满意大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能活络的经过T2放电。
上述电路中，T1和T2的基区存储电荷亦可经过M1和M2开释，以加速电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷活络散失。这种效果与TTL门电路的输入级中T1相似。同理，当vI为低电压时，电源电压VDD经过MP以鼓动M2，使M2导通，明显，T2基区的存储电荷经过M2而散失。可见，门电路的开关速度可得到改进。
2.BiCMOS门电路
依据CMOS门电路的构造和作业原理，相同能够用BiCMOS技能完毕或非门和与非门。假定要完毕或非逻辑联络，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则互相串联。这一思路可用图2所示的2输入端或非门来阐明。若两输入端A和B均为低电平常，则两个MOSFET，MPA和MPB均导通，T1导通而MNA和MNB均截止，输出L为高电平，与此一同，M1经过MPA和MPB被VDD所鼓动，然后为T2的基区存储电荷供给一条开释通路。

图2 2输入端或非门电路
另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平常， 则MPA和MPB的通路被断开，并且MPA或MPB导通，将使输出端为低电平。一同，M1A或M1B为T1的基极存储电荷供给一条开释旅程。由此可见，在图2的逻辑电路中，只需有一个输入端接高电平，输出即为低电平。同理，能够构成与非门电路。

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