（１）V(BR)CBO────e极开路，c-b结的反向击穿电压。此刻流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至必定程序时，ICBO急剧增大，终究致使击穿。
　　　　（２）V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。此刻流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE添加到ICEO开端上升时的VCE便是V(BR)CEO。应当留心，在此情况下，当集电结开端击穿时，IC增大，一同发射结分到的正向电压增大，使e区写入b区的电子增多，IE增大。IE的增大又将使IC进一步增大。所以，这儿有一个培增效应，而终究使c-e极之间击穿电压V(BR)CEO要比V(BR)CBO小即V(BR)CEO>V(BR)CBO。
　　　　（３）V(BR)CER和V(BR)CES--b-e极之直接电阻（Ｒ）和短路（Ｓ）时的V(BR)CE。在b-e极之直接电阻R后，发射结被分流。当集电结反向电流ICBO流过b极时，因为分流而使流过发射结的电流削减。所以，在上面（２）中所说的倍增效应减小，为了进入击穿情况，有必要加大VCE。也便是说，V(BR)CER>V(BR)CEO。电阻Ｒ愈小，它对发射结的分流效果愈大，所以进入击穿情况时，所需的VCE愈大。当R＝0并省掉基区的体电阻rbb`，则发射结恰当于短路。此刻V(BR)CBO≈V(BR)CES。

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