晶体三极管除了可作为拓展器材运用于各种仿照电路中外，还可以作为开关器材运用在数字电路中。
以双极型晶体三极管为例，因为静态作业点的方位纷歧样，晶体管有三种作业状况。
　　1．拓展状况
　　如图1所示，当晶体管静态作业点处于输出特性曲线的平整有些即拓展区时，晶体管作业在拓展状况，此刻的特征为：
　　(1) 发射结处于正向偏置（VBE＞0），集电结处于反向偏置（VBC＜0），如图2(a)所示。

图1 双极型三极管的三种作业区

　　　　　　　　　　
　　(2) 集电极电流是基极电流的β倍，即IC＝βIB
　　2．丰满状况
　　假定调小基极偏置电阻RB，使基极电流IB添加，则作业点Q将向上移动。当作业点移到Q1方位时则已抵达特性曲线的曲折有些，如图1所示。假定再持续添加IB，则集电极电流IC已添加得很少，两者在巨细联络上不再满意IC＝βIB，而是IC＜βIB，这时，晶体管就失掉电流拓展效果，进入丰满区。
　　当晶体管作业在丰满状况时，其输出电压VCE已减到很小，对NPN型硅管而言，VCE＝VCE(sat)≈0.3V，比VBE(sat)(约为0.7V)还要小。即集电极电位比基极电位低，集电结已转为正向偏置，如图2(b)所示。所以射结集结均正偏是差异三极管丰满的首要特征。
丰满时的集电极电流IC(sat)可由下式核算：　　

图2 双极型晶体管的三种作业状况 (a)拓展；(b)丰满；(c)截止

　　综上所述，晶体管作业于丰满状况时：
　　，这是丰满的条件；发射结和集电结都处于正向偏置； 、　

　3．截止状况
　　假定减小IB，则作业点向下移动。当IB＝0时，作业点移至Q2，如图1所示。这时IC＝ICEO≈0， VCE≈VCC，晶体管处于截止状况。IB＝0的曲线以下的区域是晶体管的 截止作业区。
　　实习上，考虑到晶体三极管发射结的结电压，对硅管而言，VBE＜0.5V时已开端截止。为了确保牢靠截止，常使VBE＝0或加反向偏置。因而，射结集结均反偏是晶体管截止时的根柢特征，如图2(c)所示。
　　双极型晶体管结电压的典型数据列于表1中。
　　　　　　　　　　　　　　表1 双极型晶体管结电压的典型数据　　　　　　　 　　　　　　　　　
　　由以上的剖析可知，假定咱们把晶体管的集电极、发射极之间等效成一个电子开关，当晶体管丰满时，VCE(sat) ≈0，好像电子开关被接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC≈0，好像电子开关被断开，其间电阻很大。这即是晶体管的开关效果。数字电路即是运用晶体管的开关效果进行作业的。

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