MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），归于绝缘栅型。其首要特征是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一同。依据导电办法的纷歧样，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止情况，加上准确的VGS后，大都载流子被招引到栅极，然后“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即构成沟道，加上准确的VGS时，能使大都载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源涣散区N+和漏涣散区N+，再别离引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总坚持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，标明从P型资料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。跟着VGS逐步添加，受栅极正电压的招引，在两个涣散区之间就感应出带负电的少数载流子，构成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的翻开电压VTN（通常约为+2V）时，N沟道管初步导通，构成漏极电流ID。

国产N沟道MOSFET的典型商品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚摆放（底视图）见图2。

MOS场效应管比照“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，很简略受外界电磁场或静电的感应而带电，而少数电荷就可在极间电容上构成恰当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因而了厂时各管脚都绞合在一同，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，避免堆集静电荷。管子不必时，悉数引线也应短接。在丈量时应分外留心，并选用相应的防静电感办法。下面介绍查看办法。

1．预备作业

丈量之前，先把人体对地短路后，才调摸触MOSFET的管脚。最佳在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地坚持等电位。再把管脚分隔，然后拆掉导线。

2．断定电极

将万用表拨于R×100档，首要断定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无量大，证实此脚即是栅极G。沟通表笔重丈量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其间阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本出产的3SK系列商品，S极与管壳接通，据此很简略断定S极。

3．查看拓宽才调（跨导）

将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指接触G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为差异之，可用手别离接触G1、G2极，其间表针向左面偏转凹凸较大的为G2极。

如今有的MOSFET管在G-S极间添加了维护二极管，平常就不需求把各管脚短路了。

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