这篇文章叙说了二极管正向浪涌电流查验的根柢央求和规范查验办法，关于规范查验办法存在的短少，计划完毕了选用信号操控、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路处理计划，简练而又高效地完毕了二极管正向浪涌电流的查验。

正弦半波脉冲电流的发作

二极管的规范繁复，多见的额外通态电流从数百毫安到数百安培乃至更高，IFSM查验需求的峰值脉冲电流央求抵达数十倍的额外通态电流值。规范的查验办法是选用大容量工频变压器，截取市电沟通波形来发作时刻常数为十ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲，如图1。

用这种办法发作几百上千安培的正弦脉冲电流，所用到的变压器体积分量都非常可观，设备与运用非常不方便利利利利利当利利利利当当当利利利利利利利当当利当。一些国外公司的商品对浪涌冲击电流波形有格外央求，比方央求在正向整流电流的根底上再加一个时刻常数为十ms或8.3ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲电流，或许央求施加接连两个时刻常数为十ms或8.3ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲电流等。显着再选用市电截取的办法，现已很难满意纷歧样器材的查验央求了。

计划思路

大功率场效应管晶体管是一类规范的电压操控电流器材，在VDMOS管的线性作业区内，漏极电流受栅极电压操控：IDS=GFS*VGS［2］。给栅极施加所需求的电压波形，在漏极就会输出相应的电流波形。因而，选用大功率VDMOS管适宜用于完毕所需的浪涌电流波形，电路办法如图2所示。

运放构成根柢的反向运算电路，驱动VDMOS管的栅极，漏源电流转过VDMOS管源极取样电阻，加到运放反向输入端，与输入波形相加构成反响，运放输出电压操控VDMOS管的栅极电压VGS，进而操控漏极输出电流IDS［3］。这个IDS即是施加给待测二极管（DUT）的正向浪涌电流。

单只VDMOS管的功率和电流拓宽才调是有限的，无法抵达上千安培的输出电流才调，选用多只并联的办法能够处理这个疑问，以抵达所需求的峰值电流。多见的联接办法如图3所示。

本查验计划选用了老到的电路操控技能，简练而有用地完毕了各种浪涌冲击查验的央求。运用的都是惯例易得的元器材，构成的设备体积小分量轻，能够很便本地设备在通常仪器箱中，变成一件规范查验仪器。具有运用活络、易操作，查验精准度高，安全牢靠等特征。

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