1. 本征半导体及其特征
　　纯真的半导体称为本征半导体。在热“激起”条件下，本征半导体中的电子和空穴是成对发作的；当电子和空穴相遇“复合”时，也成对不见；电子和空穴都是载流子；温度越高，“电子—空穴”对越多；在室温下，“电子—空穴”对少，故电阻率大。

2. 掺杂半导体及其特征
（ 1 ） N 型半导体：在本征硅或锗中掺入恰当五价元素构成 N 型半导体， N 型半导体中电子为多子，空穴为少子；电子的数目（掺杂 + 热激起） = 空穴的数目（热激起） + 正粒子数；半导体对外仍呈电中性。
（ 2 ） P 型半导体：在本征硅或锗中掺入恰当三价元素，构成 P 型半导体，其空穴为多子，电子为少子；空穴的数目（掺杂 + 热激起） = 电子的数目（热激起） + 负粒子数；对外呈电中性。
在本征半导体中，掺入恰当杂质元素，就能够构成很多的多子，所以掺杂半导体的电阻率小，导电才调强。
　　当 N 型半导体中再掺入更高密度的三价杂质元素，可转型为 P 型半导体；反之， P 型半导体也可经过掺入满意的五价元素而转型为 N 型半导体。

4. PN 结的构成
　　经过必定的技能，在同一块半导体基片的一边掺杂成 P 型，另一边掺杂成 N 型， P 型和 N 型的接壤面处会构成 PN 结。
　　P 区和 N 区中的载流子存在必定的浓度差，浓度差使多子向另一边涣散，然后发作了空间电荷和内电场；内电场将阻多子止涣散而推动少子漂移；当涣散与漂移抵达动态平衡时，接壤面上就会构成安稳的空间电荷层（或势垒区、耗尽层），即 PN 构构成。

5. PN 结的单导游电性
　　PN 结正向偏置时，空间电荷层变窄，内电场变弱，涣散大于漂移，正向电流很大（多子涣散构成）， PN 结呈现为低电阻，称为正导游通。正向压降很小，且随温度上升而减小。
　　PN 结反向偏置时，空间电荷层变宽，内电场增强，漂移大于涣散，反向电流很小（少子漂移构成）， PN 结呈现为高电阻，称为反向截止。反偏电压在必定方案内，反向电流根柢不变（也称为反向丰满电流），且随温度上升而增大。

6. PN 结的电容特性
（1）势垒电容C_B：当外加在PN结两头的电压发作改动时，空间电荷层中的电荷量会发作改动，这一景象是一种电容效应，称为势垒电容。C_{B对错线性电容。
（2）涣散电容CD：当PN结正向偏置时，多子涣散到对方区域后，在PN结间隔邻近有堆集，并会有必定的浓度梯度。堆集的电荷量也会随外加电压改动，致使电容效应，称为涣散电容。CD也对错线性电容。}

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