1.一次编程型只读存储器（PROM) 　　　　　

咱们现已知道ROM是一个“与”、“或”、逻辑阵列构造，当ROM制作结束，用户不能改动其现已存储的内容。而PROM则纷歧样，制作这种器材时，使存储阵列（“或”阵列）的悉数存储单元的内容全为1（或0），用户依据自个的需求能够对悉数的存储单元进行一次性改写。
　　图1是熔断丝构造的PROM底子存储单元示意图。出厂时悉数的底子存储单元为1，即存储阵列中的熔丝都是通的。若用户经过大电流将当熔丝烧断，则该底子存储单元改写变成0。PROM的熔丝烧断不能再接上，因此只能编程一次，故称为一次编程型只读存储器。
　　

图1 熔断丝构成的 　　PROM底子存储单元	图2 PROM的阵列图

　　为了标明PLD存储内容状况，常常用阵列图标明。图2所示的是PROM阵列图。它由一个固定的“与”阵列（地址译码器）和一个可编程的“或”阵列（存储阵列）构成。同ROM比照，二者纷歧样在于“或”阵列是不是能用户编程。图中黑点标明固定衔接，叉点标明编程点。为了标明的便利，常常把PROM不行编程的“或”阵列（地址译码器）标明成象ROM那样，用一方框示出。

图3 用PROM构成阶梯波发作器	图4 阶梯波

图5 PROM编程阵列图

同ROM相同，运用PROM能够完结任何组合逻辑函数。二者差异在于前者由制作器材时断定，后者能够由用户一次性编程断定。PROM广泛运用于波形改换、字符集构成等。如图3，运用PROM构成的阶梯波信号发作器，输出电压vO的波形由PROM存储内容决议。PROM的四个输出端操控反比照例运算的运放输入端的四个电子开关（实践中可可由D/A改换器完结，见第11章）。当D=1时，开关接基准电压-VR；当D=0时，开关接“地”。若要发作如图4所示的周期阶梯波信号，则PROM的编程表如下表所示。PROM的编程阵列图如图6所示。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　
　　图6中PROM包含了一个4/16线固定的“与”阵列地址译码器及一个16字×4位的可编程“或”存储阵列。
　　2.可改写型只读存储器（EPROM）

图7 EPROM2716管脚摆放及功用阐明

　　PROM只能一次编程，而可改写型只读存储器可屡次擦除并从头写入新内容。最为典型的是紫外线擦除，在EPROM器材外壳上有通明的石英窗口，用紫外线（或X射线）照耀，来完结擦除操作。
　　EPROM2716是一种多见的容量为2K（2048×8Bit）的可改写型只读存储器。图7是其外引线摆放和功用阐明。编程时，VPP接25V电源，片选信号端 接高电平，在编程操控端PD/PGM加脉宽为50ms的正脉冲。作业运用中，VPP与VCC一同接5V电源，PD/PGM与 衔接一同作为片选信号，当呈现低电平0时便选中该片，可从该片读取数据。
　　在实践计划的工业操控机等运用中,常常是RAM和EPROM（通常固化体系程序）一同运用，完结信息处理使命。如图8，选用1片EPROM2716和3片RAM6116将字数拓展8K存储器的接线图，图中4个芯片由2/4线译码器低电平有用输出端挑选，各芯片所占有的地址规模和对应单元号见表2。 端、I/O（数据）端、A十～A0地址输入端都对应并联在一同。

图8 由1片EPROM2716和4片RAM6116构成的64K存储器

　 　　　　　　　　　　　　　　　　表2 各芯片所占有的地址规模和对应单元号 　　　
　　3.电擦除型只读存储器（EEPROM）
　　EEPROM是在EPROM根底上开展而来的一种能够完结迅速擦除只读存储器。它战胜了EPROM对照耀时刻和照s度的技能请求及擦除的速度也比照慢的缺点，所以这种擦除办法操作起来非常便利。EEPROM的内部“与”阵列和“或”阵列和EPROM类似，仅仅写入办法纷歧样。

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