简直悉数的晶体管参数都与温度有关，因而不空疏忽。温度对下列的3个参数影响最大。

1、对β的影响

晶体管的β随温度的添加将增大，温度每上升1℃，β值增大0.5%～1%，其成果是在相同的IB状况下，集电极电流IC随温度上升而增大。

2、对反向饱满电流ICEO的影响

ICEO是少量载流子漂移运动构成的，它与环境温度联络很大，ICEO随温度上升会急剧添加。温度上升十℃，ICEO将添加一倍。因为硅管的ICEO很小，所以温度对硅管的ICEO影响不大。

3、对发射结电压UCE的影响

和二极管的正向特性相同，温度上升1℃，UCE将降低2～2.5mV。

综上所述，跟着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，UCE将降低，这对晶体管拓展效果晦气，运用中应采纳相应的办法战胜温度的影响。

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