抗丰满TTL电路是如今传输速度较快的一类TTL电路。这种电路因为选用肖特基势垒二极管SBD的钳位办法来抵达抗丰满的效果，通常称为SBD TTL电路（简称STTL电路），其传输速度远比底子TTL电路为高。肖特基势垒二极管是一种运用金属和半导体相触摸在接壤面构成势垒的二极管。运用金属铝和N型硅半导体相触摸构成的势垒二极管的作业特征如下：
（1）它和PN结相同，相同具有单导游电性，这种铝－硅势垒二极管（Al-SiSBD)导通电流的方向是从铝到硅。
（2）Al-SiSBD的导通阈值电压较低，约为0.4～0.5V，比通常硅PN结约低0.2V。
（3）势垒二极管的导电安排是大都载流子，因此电荷存储效应很小。
为了捆绑BJT的丰满深度,在BJT的基极和集电极并联上一个导通阈值电压较低的肖特基二极管,如图1(a)所示。并用图1(b)的符号标明。

图1 带有肖特基二极管钳位的BJT (a)电路联接办法 (b)逻辑符号
图2为肖特基TTL（STTL）与非门的典型电路。与底子TTL与非门电路比照，作了若干改善。在底子的TTL电路中，T1、T2、和T3作业在深度丰满区，管内电荷的存储效应对电路的开关速度影响很大。如今除T4外，别的的BJT管均选用SBD钳位，以抵达显着的抗丰满效应。其次，底子电路中的悉数电阻值这儿简直都折半。这两项改善致使门电路的开关时刻大为缩短。因为电阻值的减小也必定会致使门电路功耗的添加。

图2 肖特基TTL与非门的典型电路

以上所述为底子TTL反相器、与非门和STTL与非门。表1列出了各类TTL门电路的传输推延时刻tpd和功耗PD，以便比照。(表1)

表1 各种TTL门电路的功用比照

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