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pn结的构成和机理

2017-04-25 10:59分类:电工考证知识 阅读:

 

P型和N型半导体资料的底子用法便是制造二极管,图8-12便是一个PN结型二极管,它包含由空穴构成的P型区和由自在电子构成的N型区。从一端到别的一端,二极管的构造是接连的,它是一块无缺的硅晶体或锗晶体。

Created by Readiris, Copyright IRIS 2005

图8-12标明,结便是一个有些的结尾和另一有些开端的距离。它并不是一个机械结点,换言之,二极管的结仅仅P型资料和N型资料的接合有些。

因为二极管是接连的晶体,故自在电子可以穿过结点,二极操控成时,有一有些自在电子会穿过结点抵达空穴区,图8-13标明晰这种效果。这将致使“耗尽区”的构成。被捕获的电子充溢空穴,因为P型边堆集了负电荷,生的电场阻挠电子继续活动。跟着电子进入和空穴的被填充,P型距离将无大都载流子空穴存在,N型资料距离将无大都载流子电子存在,结周围的区域就变成耗尽区。

耗尽区不会继续添加,在P型资猜中,在耗尽区发作电动势或力,并且阻挠电子经过耗尽区填满P区悉数空穴。

图8-14中标明晰电势的构成进程,当N-型资猜中的一个自在电子脱离它的母体原子,原子就变成正离子,一样,当自在电子进入P-型资料的别的一个原子中,这个原子就变成了负离子,离子构成一个电势阻挠更多的电子穿过结层。

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因而,当一个二极操控成后,有一些电子穿过结进入空穴,可是因为一个反电势在P-型端的构成,阻挠了别的的自在电子的经过,这么,该进程很快就完毕。这个反电势就被称为“离子电势”或“势垒”,垒是一个很形象的姓名,因为它阻挠了过多的电子经过结。

我们现已懂得PN结的构成,接着我们要了解它的电特性,图8-15标明晰电特性的概要,图中有两个自在载流子区域,因为有这些载流子,这些区域是半导体。可是在正基地的区域没有大都载流子,处于绝缘状况。

任何基地富含绝缘层的器材都不可以导电。故我们假定PN结二极管是绝缘体。可是耗尽区和绝缘层并不是一样,因为它是由电子移动并充填空穴构成的。外部的电场可以改动耗尽区。

在图8-16中,电源的接法削弱了PN结二极管的耗尽区。电源的正端迫使P型边的空穴移向结,电源的负端使得电子移向结,这么使耗尽区变薄。

跟着耗尽区的势垒削弱,二极管就成了半导体,图8-16标明电子流从电源的负端流出经过二极管和限流电阻回到电源的正端。限流电阻的效果首要是避免过流,因为过大的电流会损坏二极管。假定图8-16中的电压值是6V ,并且电阻值是1kΩ,则:

I===6mA

在上面的核算进程中,我们疏忽了二极管的电阻和电压降。故我们得到的效果仅仅电流的近似值。若我们知道二极管的管压降,可以得到准确的电流值。电动势减去管压降,就得到了实习的电压值:

I= =5.4mA

一般状况下,硅二极管导通后的管压降为0.6V。虽然它也是一个近似的值,可是它比前面的值要准确得多了。

例8-1

图8-16中,若电压是1V,电阻值是1kΩ,核算电流值。断定批改二极管压降值的首要性。首要,核算不思考管压降的电流为:

I= =1mA

其次,核算思考管压降的校对电流值:

I= =0.4mA

可见,电源电压较低时,管压降就显得很首要。

例8-2

肖特基二极管的导通管压降大约是0.3V,肖特基二极管将在8-9节解说,若图8-16中是肖特基二极管,核算它的电流值,一样,电源电压是1V,电阻是1kΩ。

Created by Readiris, Copyright IRIS 2005 I= =0.7mA

肖特基二极管小的管压降在高频、低电压、大电流电路里有很首要的含义。

例8-3

若图8-16的电源电压是十0V,电阻值是1kΩ,核算它的电流值。断定批改硅二极管管压降的首要性。

I= =十0mA

I= =99.4mA

可见,对于电源电压较高的电路,二极管的管压降对核算电流就没有啥含义了。

图8-16的状况就称为正偏置,在电子学中,偏置是供应器材的电压或电流。正偏置是给定电压或电流使二极管能导通。在图8-16中,电池使二极管导通便是正偏置。

反偏压是别的一种偏置办法,二极管不加偏压时,耗尽区如图8-17(a)所示,当给结型二极管加反偏压时,耗尽区会变得更宽,图8-17(b)标明晰这种状况。电源的正极接到N型端使自在电子脱离结点,电源负极接在P型端使得空穴脱离结点,这就使得耗尽区比不加电源时更厚。

因为反向偏压拓展了耗尽区,因而无电流经过二级管。耗尽区是一个绝缘体,它能阻挠电流的经过,可是因为有少量载流子的存在,仍有极小的电流活动,图8-18标明晰这个进程的构成。在P型区存在少量的电子,它们被电源的正极牵引到结点,而N型区有小量的空穴也被面向结点处,反偏压榨使少量载流子联络,构成漏电流。虽然二极管并不是很完美,可是现代的硅二极管的漏电流转常很小,简直不能被丈量,在室温条件下,硅中仅存在很少的载流子,因而反向漏电流转常可疏忽。

锗二极管有较大的漏电流。在室温条件下,它所富含的载流子数大约是硅管的十00倍,并且硅比照廉价,有低的漏电流,在大都状况下被选用。锗管仅用于低导通电压和低电阻等少量状况下。

总归,PN结型二极管是单导游通的,反导游通很稀有,电子易导通的方向是从N型区到P型区,假定给定的电压使得穿过二极管的电流在这个方向就称为正偏压,因为二极管的单导游通性,所以二极管很有用,它既可以用于开关,也可用于将沟通变为直流。许多别的的二极管也在电和电子电路中有专门用处。

对于电子学:

二极管用于避免电源极性接反

二极管可用于避免电源极性接反,可用于电源极性接反维护,

办法一:经过运用与电源串联一个维护二极管。

办法二:将二级管作反接时的分流器,使电源稳妥丝烧断。

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