晶体管的特性曲线是描写晶体管各个电极之间电压与电流联络的曲线，它们是晶体管内部截流子运动规矩在管子外部的体现，用于对晶体管的功用、参数和晶体管电路的剖析核算。

1、输入特性曲线

输入特性曲线描写了在管压降UCE坚持不变的条件下，基极电流IB和发射结压降UBE之间的函数联络，即

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由图1可见，NPN型晶体管的输入特性曲线的特征如下：

图1 晶体管输入特性曲线

（1）输入特性曲线有一个翻开电压，只需当UBE的值大于翻开电压后，IB的值与二极管一样随UBE的添加按指数规矩增大，电流IB有较大的改动，UBE的改动却很小，能够近似以为导通后发射结的电压底子坚持不变。硅管的翻开电压为0.5V，发射结的导通电压UON为0.6～0.7V；锗管的翻开电压为0.2V，发射结的导通电压UON为0.2～0.3V；

（2）当UCE=0时，集电极与发射极短路，即集电结与发射结并联，恰当于两个二极管并联，输入特性曲线与二极管特性曲线类似。当UCE=1V时，集电结处于反向偏置，内电场加强，发射区写入基区的电子绝大大都被拉到集电区，只需少量电子与基区的空穴复合构成基极电流IB。在一样UBE下，基极电流比UCE=0V时削减，然后使曲线右移。UCE>1V往后，输入特性曲线底子上与UCE=1V时的特性曲线重合，这是因这UCE>1V后，集电极将发射区发射过来的电子简直悉数搜集走，对基区电子与空穴的复合影响不大，IB的改动也不显着。所以通常UCE>1时只画一条曲线。

2、输出特性曲线

(2)

特性曲线如图2所示，当IB改动时，IC和UCE的联络是一组平行的曲线簇，并有截止、拓宽和丰满3个作业区。

图2 晶体管输出特性曲线

（1）截止区

IB=0特性曲线以下的区域称为截止区。此刻晶体管的集电结处于反偏，发射结电压ube<UON，也处于反偏。集电极电流IC=0。在电路中犹如一个断开的开关。三极管作业在截止区时，三个电极之间的联络为：关于NPN型，VB<VE；关于PNP型，VB>VE；

实习上处于截止状况下的晶体管集电极有很小的电流ICEO，该电流称为晶体管的穿透电流，它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流，它不受IB的操控，但受温度的影响。

（2）丰满区

关于硅管，当UCE减小到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置状况，集电极吸收电子的才调将降低，此刻IB再增大，IC简直就不再增大了，晶体管失掉了电流拓宽效果，这个状况称为丰满状况。三极管作业在丰满区时，三个电极之间的联络为：关于NPN型，VB >VC>VE；关于PNP型，VB <VC<VE；

数字电路中的各种开关电路即是运用晶体管截止和丰满状况与开关断、通的特性很类似的这种特性制造的。

（3）拓宽区

处于晶体管的特性曲线丰满区和截止区之间的有些即是拓宽区。作业在放在区的晶体管具有电流拓宽效果。此刻发射结正偏UBE>UON，集电结反偏UCE>UBE。IC只受IB操控，IC=βIB简直与UCE的巨细无关。阐明晶体管恰当于一个输出电流IC受IB操控的受控电流源。所以晶体管是电流操控器材。三极管作业在拓宽区时，三个电极之间的联络为：关于NPN型，V C>VB > VE；关于PNP型，V C< VB <VE；

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