为了较实在地描写二极管V-I 特性，二极管折线模型是在恒压降模型的根底上，作必定的批改，即以为二极管的管压降不是安稳的，而是跟着经过二极管电流的添加而添加。所以，在模型顶用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。
二极管折线模型如图(a)所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V（硅管）。至于rD的值，能够这么来断定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，所以rD的值可核算如下：

因为二极管特性的松懈性，Vth和rD的值不是固定不变的。

二极管的折线模型

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