功率管及其散热

2017-05-04 10:24分类：电工考证知识阅读：

为了进步功放电路的输出功率，确保电路安全作业，一般有两种办法，一是选用大功率半导体器材（功率管），二是进步功率器材的散热才干。

1．三种常用的功率器材的比照
双极型功率晶体管（BJT）、功率MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是三种常用的功率器材，它们的特色如表1所列。

表1 三种常用的功率器材的比照

名称	特点
双极型功率晶体管（BJT）	输入阻抗低、所需驱动电流大，驱动电路杂乱；温度安稳性差，集电极电流具有正温度系数，会发作热击穿和二次击穿，安全作业区小；受少子基区渡越时刻的约束，频率特性较差，非线性失真严峻。
功率MOSFET	输入阻抗高、所需驱动电流小，驱动电路简略，温度安稳性好，漏极电流具有负温度系数，不会发作热击穿，也不会呈现二次击穿，安全作业区大；没有BJT管的少子存储疑问，频率特性好，作业速度高、线性好、失真小。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）	它归纳了MOSFET输入阻抗高、驱动电流小和双极型管的导通电阻小、高电压、大电流的长处。

2．功率管的散热
功率管杰出的散热是确保功率放大器正常作业的首要条件。散热的好坏一般用热阻的巨细来描绘。热阻RT界说为每1W的集电极耗散功率使晶体管的结温添加的度数，即