二极管是由一个PN构构成的，它的首要特性即是单向导电性，通常用它的伏安特性来标明。
　　二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两头的电压vD之间的联络或曲线。用逐点丈量的办法测绘出来或用晶体管图示仪显现出来的V-I曲线，称二极管的伏安特性曲线。图1是二极管的伏安特性曲线示意图，以此为例阐明其特性。

图　二极管的伏安特性

　　1．正向特性
　　由图能够看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，因为外电场远短少以战胜PN结内电场对大都载流子涣散运动所构成的阻力，故正向电流很小（简直为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。
　　当正向电压添加到必定值Vth今后内电场被显着削弱，正向电流才有显着添加。Vth 被称为门限电压或阀电压。Vth视二极管资料和温度的不相同而不相同，常温下，硅管通常为0.5V摆布，锗管为0.1V摆布。在实践运用中，常把正向特性较直有些延伸交于横轴的一点，定为门限电压Vth的值，如图中虚线与横轴的交点。
　　当正向电压大于Vth今后，正向电流随正向电压简直线性添加。把正向电流随正向电压线性添加时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用VF来标明。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V，通常取为0.7V；锗管的导通电压约为0.1～0.3V通常取为0.2V。

2．反向特性 　　当二极管两头外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使涣散更难进行。这时只需少量载流子在反向电压效果下的漂移运动构成弱小的反向电流IR。反向电流很小，且在必定的方案内简直不随反向电压的增大而增大。但反向电流是温度的函数，将随温度的改动而改动。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。

　　3．反向击穿特性
　　当反向电压增大到必定数值VBR时，反向电流剧增，这种景象称为二极管的击穿，此刻的VBR电压值叫做击穿电压，VBR视不相同二极管而定，通常二极管通常在几十伏以上且硅管较锗管为高。
　　击穿特性的特色是，尽管反向电流剧增，但二极管的端电压却改动很小，这一特色变成制造稳压二极管的根据。
　　4. 温度对二极管伏安特性的影响
　　二极管是温度的灵敏器材，温度的改动对其伏安特性的影响首要表现为：跟着温度的添加，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。通常在室温邻近，温度每添加1℃，其正向压降减小2～2.5mV；温度每添加十℃，反向电流大概增大1倍摆布。
　　综上所述，二极管的伏安特性具有以下特色：
　　① 二极管具有单向导电性；
　　② 二极管的伏安特性具有非线性；
　　③ 二极管的伏安特性与温度有关。

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