场效应管扩展电路与晶体管扩展电路一样，也有3种底子的组态，即共源极、共栅极和共漏极扩展电路。场效应管的剖析办法同晶体管扩展电路一样，也包含静态剖析和动态剖析，仅仅扩展元件的特性和电路模型不一样。下面以增强型N沟道MOS管为例来评论场效应管扩展电路。

N沟道MOS管共源电压扩展器的电路构成如图1所示。图中的RG1和RG2为偏置电阻，其效果与分压式偏置晶体管扩展电路中的RB1和RB2一样，经过RG1和RG2对电源电压UDD分压来设置静态偏压，然后为电路供应适合的静态作业点；RG的效果是进步电路的输入阻抗。

图1 场效应晶体管共源电压扩展器电路构成

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