输出特性曲线是在基极电流iB必定的状况下，BJT的输出回路中，集电极与发射极之间的电压vCE与集电极电流iC之间的联络曲线。其函数式为

NPN型硅BJT的输出特性如图所示。由图可见，在输出特性的开端有些曲线很陡,当vCE逾越某一数值（约1V）后，特性曲线变得比照平整，且距离底子均匀。输出特性是形状底子一样的曲线族。

在输出特性的开端有些曲线很陡，vCE略有添加时，iC添加很快，这是因为在vCE很小时（约1V以下），集电结的反向电压很小，对抵达基区的电子招引力不行，这时iC受vCE的影响很大。vCE稍有添加，iC随vCE的添加而添加。
当vCE逾越某一数值（约1V）后，特性曲线变得比照平整。这是因为vCE大于1V往后，集电结的电场已满意强，它能将发射区涣散到基区的电子简直都搜集到集电区，故vCE再添加，iC就添加不多了,曲线变的平整。
改动iB的值，即可得到一组输出特性曲线。由式iC=biB可知，在vCE大于零点几伏往后，输出特性是一组距离底子均匀，比照平整的平行直线。

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