半导体二极管的V–I 特性如图所示。下面临V–I 特性分三有些加以阐明。

二极管的V–I 特性曲线
1．正向特性
正向特性体现为图中的①段。此刻正向电压较小，正向电流简直为零。此作业区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压（该电压硅管约为0.5V，锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时，内电场削弱，电流因此敏捷添加，呈现出很小的正向电阻。
2．反向特性
反向特性体现为如图中的②段。由所以少量载流子构成的反向饱满电流，所以其数值很小。但温度对它影响很大，当温度添加时，反向电流将随之添加。
3．反向击穿特性
反向击穿特性对应于图中③段，当反向电压添加到必定值时，反向电流急剧添加，二极管被反向击穿。其要素和PN击穿一样。

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