1、BJT高频小信号模型的提出：

依据BJT的特性方程，推导出的H参数低频小信号模型在高频运用的状况下，其物理进程有些区别，首要体如今BJT的极间电容不行疏忽。为此，咱们从BJT的物理安排动身加以剖析，再用电阻、电容、电感等电路元件来仿照其物理进程，然后得出BJT的高频小信号模型，如图1所示。现就此模型中的各个元件参数作一扼要的阐明。

2、BJT的高频小信号模型：

在图示的BJT的高频小信号模型中

rbb¢ ——基区体电阻。

rb¢e ——发射结的小信号电阻，由于发射结正偏，rb¢e很小。

Cb¢e ——发射结电容。

rb¢c ——集电结反偏小信号电阻（图中未画出）。

Cb¢c——集电结电容。

——受控电流源 ，它受 所操控。gm称为互导，界说为 。

rce ——受控电流源的电阻（图中未画出）。

在高频状况下，rb¢c 的数值很大，能够疏忽不计； 通常 ，因而，rce也省掉。

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