电子电路计划傍边不可或缺的，是咱们都要用到电源！而开关电源对咱们电路计划来说又是那么的首要！今日给咱们带来开关电源问答！

疑问一：开关电源为何常常挑选65K或许100K支配计划作为开关频率，有的人会说IC厂家都是出产这么的IC，当然这也有要素。每个电源的开关频率会决议啥？
答复1：应当从这儿去思考要素。还会有人说频率高了EMC欠好过，一般来说是这么，但这不是必定，EMC与频率有联络，但不是必定。期望咱们的电源开关频率 行进了，直接带来的影响是啥?当然是MOS开关损耗增大，由于单位时刻开关次数增多了。假定频率减小了会带来啥?开关损耗是减小了，可是咱们的储能器 件单周期供应的能量就要增多，必定需求的变压器磁性要更大，()储能电感要更大了。挑选在65K到100K支配便是一个比照适宜的阅历折中，电源便是在折中合 理化折中进行
答复2：假定在分外景象下，输入电压比照低，开关损耗现已很小了，不在乎这点开关损耗吗，那咱们就可从行进开关频率，起到减小磁性器材体积的意图
疑问二：LLC中为何咱们常在二区计划开关频率?一区和三区为何不能够?有哪些要素制约呢?或许假定挑选一区和三区作为开关频率会有啥效果呢?
答复1：LLC的原理是运用理性负载随开关频率的增大而感抗增大，来进行调度输出电压的，也便是PFM调制。而且MOS管注册损耗ZVS比ZCS小，一区是 容性负载区，天然不可取。那么三区，开关频率大于谐振频率，这个仍是理性负载区，按道理MOS完结ZVS没有疑问，的确如此。可是咱们不能疏忽副边的输出 二极管关断。也便是原边MOS管关断时，谐振电流并没有减小到和励磁电流持平，完结副边整流二极管软关断。这也是咱们一般也不挑选三区的要素。

疑问三：当咱们反激的占空比大于50%会带来啥?好的方面有哪些?欠好的方面有哪些?
答复1：反激的占空比大于50%意味着啥，占空比影响哪些要素?榜首:占空比计划过大，首要带来的是匝比增大，主MOS管的应力必定行进。一般反激挑选600V或650V以下的MOS管，本钱思考。占空比过大必定接受不起。
答复2：很首要的是许多人知道，需求斜坡抵偿，不然环路颤抖。不过这也是有条件的，右平面零点的发作需求作业在CCM办法下，假计划划在DCM办法 下也就不存在这一疑问了。这也是小功率为何计划在DCM办法下的其间一个要素。
答复3：当然在分外景象下也需求将占空比计划在大于50%，单位周期内传递的能量添加，能够减小开关频率，抵达行进功率的意图，假定反激为了功率做高，能够思考这一办法。
疑问四：反激电源假定要做到必定的功率，需求从哪些方面着手?准谐振?同步整流?
答复1：反激的一大下风便是功率疑问，改进功率有哪些路径能够思考的呢?减小损耗是必定的，损耗的点有开关管，变压器，输出整流管，这是首要的三个有些。
开关管咱们知道反激首要是PWM调制的硬开关居多，开关损耗是咱们的一大难点，好在软开关的呈现看到了期望。反激无法向LLC那样做到全谐振，那只 能朝准谐振去翻开(有些时刻段谐振)，这么的IC也有许多面世，我司用的较多是NCP1207，经过在MOS管关断后，下一次注册前1脚检查VCC电压过 零后，然后在一个设守时刻后注册下一星期期。
变压器的损耗怎么做到最小，完美运用的变压器后边疑问会触及到。
同步整流转常在输出大电流状况下，副边整流流二极管，哪怕用肖特基损耗仍然会很大，这时分选用同步整流MOS代替肖特基二极管。有些人会说这么本钱高不如用LLC，或许正激呢，当然没有最佳的，只需更适宜的。
疑问五： 咱们挑选拓扑时需求思考哪些方面的要素?各种拓扑运用环境及优缺点?
答复1：
反激特征：适用在小于150W，理论这么说，实习大于75W就很少用，不谈很分外的状况。反激的有点本钱低，调试简略(有关于半桥，全桥)，首要是 磁芯单向励磁，功率由束缚性，功率也不高，首要是硬开关，漏感大等等要素。全电压计划(85V-264V)功率一般在80%以下，单电压抵达80%很容 易。
正激特征：功率适中，可做中小功率，功率一般在200W以下，当然能够做很大功率，仅仅不常常这么做，要素是正激和反激相同单向励磁，做大功率磁芯 体积恳求大，当然选用2个变压器串并联的也有，留心只谈一般景象，不误导新人。正激有点，本钱适中，当然比反激高，利益功率比反激高，分外选用有源箝位做 原边吸收，将漏感能量从头运用。
半桥：如今比照火的是LLC谐振半桥，中小功率，大功率通吃型。(一般大于100W小于3KW)。特征本钱比反激正激高，由于多用了1个MOS管 (双向励磁)和1个整流管，操控IC也贵，环路计划业凌乱(一般选用运放，分外还要做电流环)。利益:选用软开关，EMC好，功率极高，比正激高，我做过 960W LLC,功率可达96%以上(全电压)(当然PFC是选用无桥办法)。其它半桥我不引荐，起码我不会去用，比照老的不对称桥，很难做到软开关，LLC老到 早年用的多，如今很少用，起码艾默生等大公司都倾向于LLC，跟着干流走一般都不会错。
全桥：一般用在大于2KW以上，首推移相全桥，特征，双向励磁，MOS管应力小，比LLC应力小一半，大功率分外输入电压较高时，一般用移相全桥， 输入电压低用LLC。本钱分外高，比LLC还多用2个MOS。这还不是首要的，首要是驱动凌乱，一般的IC驱动才华都达不到，要将驱动拓宽，选用阻隔变压 器驱动，这儿才是本钱高的另一方面。
推挽：运用在大功率，分外是输入电压低的大功率场合，特征电压应力高，当然电流应力小，大功率用全桥仍是推挽一般看输入电压。变压器多一个绕组，管子应力恳求高，当然常说到的磁偏磁也需求打败。这个我真没用过，没触及电力电源，很难用到它的时分。

疑问六：电源的元器材你懂多少?MOS管结电容多大，对哪些有影响?RDS跟温度是啥联络?肖特基反向康复电流影响啥?电容的ESR会带来哪些影响?
答复1：电源中的计划的器材类型许多，首要有半导体器材如：MOS管，三极管，IC，运放，二极管，光耦等;磁性器材：电感，变压器，磁珠等;电容：Y电容，X电容，瓷片电容，电解电容，贴片电容等;每种器材都有其标准，极限参数。
惯例的参数在咱们选型很简略掌握，例如挑选MOS管，耐压参数必定会思考，额外电流也会思考，导通电阻咱们会思考，但还有一些寄生参数以及一些随温 度改动特性的参数却很少去留心，或许只需在发现疑问的时分才会去找。导通电阻Rds(on)随温度添加其阻值是变大的，计划MOS管损耗时要思考到其作业 的环境温度。结电容影响到咱们的注册损耗，也会影响到EMC。
肖特基二极管耐压，额外电流转常极好留心，有些参数例如导通压降在温度添加时会减小，反向康复时刻短，不过漏电流大(分外是思考到高温时漏电流影响就更大了)，寄生电感会致使关断尖峰很高。
电容一个首要参数ESR，在核算纹波时一般会思考，ESR一般与C的有关是很大的，不过纷歧样厂家的质量要素影响也是很无量，必定要详细分了解。一般核算公司可参看：ESR=10/(C的0.73次方)，电容在高温时寿数会缩短，低温时容量会减小，漏电流也会添加等等。

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