在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、松散技能制造两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，别离作漏极d和源极s。然后在半导体外表复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。别的在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显着它的栅极与别的电极间是绝缘的。图 1(a)、(b)别离是它的构造暗示图和代表符号。代表符号中的箭头方向标明由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图 1(c)所示。

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