输入特性曲线（以共射极拓宽电路为例）

常数

当vCE=0V时，恰当于C和E短接，体现为PN结的正向伏安特性曲线。

当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状况，开端搜集电子，基区复合削减，相同的vBE下IB减小，特性曲线右移。

输入特性曲线的三个有些

①死区

死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V

②非线性区

③线性区

在很大方案内改动，VBE底子不变（恒压）。VBE值：硅管约0.7V，锗管约0.2V。

输出特性曲线（以共射极拓宽电路为例）

常数

输出特性曲线的三个区域

丰满区：iC显着受vCE操控的区域，该区域内，通常vCE＜0.7V(硅管)。此刻，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

拓宽区：iC平行于vCE轴的区域，曲线底子平行等距。此刻，发射结正偏，集电结反偏。

截止区：iC挨近零的区域，即iB=0的曲线的下方。此刻，发射结反偏或正向电压小于死区电压。

上一篇：差分式拓宽电路中的通常概念

下一篇：电子技能的分类