差分式拓宽电路的特征

输入阻抗高，输入偏置电流很小。

JFET构成的差分式拓宽电路：输入电阻可达十12W，输入偏置电流约为十0pA数量级；

MOSFET差分式拓宽电路：输入电阻则可达十15W，输入偏置电流在十pA以下。

FET差分式拓宽电路的剖析

FET差分式拓宽电路的电路构造、作业原理和剖析办法与BJT差分式拓宽电路底子一样，并具有一样的电路特征，只不过是用FET的小信号模型来剖析核算算了。

图1所示为带恒流源的JFET差分式拓宽电路。其间JFET T1、T2是差分对管，BJT T3、T4及R1、R2、R3构成恒流源电路，用于按捺共模信号。电路的动态方针核算相似于场效应管单极共源拓宽电路。因为该电路是单入-单出差分式拓宽电路，所以，其差模电压增益为

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式中gm为T1、T2的互导。

输入电阻的核算与BJT构成的差分拓宽电路有所纷歧样。因为场效应管的输入电阻很大，栅极电流可疏忽不计。一同，该电路的栅极有Rg电阻接地。所以，差模输入电阻为

Rid»Rg

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