实习日子中的负载大大都是冲击性负载，例如炽灯泡，在冷态时的电阻要比点亮时低许多，像电脑，电视机等整流性负载，因为输入的沟通电经过整流后要用一个比照大的电容滤波，因此冲击电流比照大。还有冰箱等电机理性负载，电机从接连到正常翻滚也需求用电力发作比照大的转矩因此起动电流也比照大。

　　假定咱们的逆变器只能设定一个能长时刻作业的额外输出功率的话，在起动功率大于这个额外输出功率的负载就不能起动了，这就需求依照起动功率来装备逆变器了，这显着是一种糟蹋。实习中，咱们在计划过流短路维护电路时咱们会计划两个维护点，额外功率和峰值功率。通常峰值功率设定为额外功率2-3倍。时刻上额外功率是长时刻作业不会维护的，峰值功率通常只坚持到几秒就维护了。下面进行举例阐明：

　　如图1所示，R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么了解，高压电流的巨细底子上决议了输出功率的巨细，所以用R5检查高压电流的巨细。图1中LM339的两个比照器单元咱们别离用来做过流和短路检查。

　　先看由IC3D及其外围元件构成的过流维护电路，IC3D的8脚设定一个基准电压，由R33、VR4、R56、R54分压决议其值U8=5* （R33+VR4）/（ R33+VR4 +R56+R54）。当R5上的电压经过R24，C17延时后逾越8脚电压14脚输出高电平经过D7隔绝到IC3B的5脚。4脚兼做电池欠压维护，正常时 5脚电压低于4脚，过流后5脚电压高于4脚，2脚输出高电平操控后级的高压MOS关断，当然也可以操控前级的MOS一同关断。D8的效果是过流短路或电池欠压后正反响断定2脚为高电平。

　　再看IC3C构成的短路维护电路，原理和过流维护差不多，仅仅延时的时刻比照短，C19的容量很小，加上LM339的速度很快，可以完毕短路维护在几个微秒内关断，有用地维护了高压MOS管的安全。趁便说的一点是短路维护点要依据MOS管的ID，安全区域和回路杂散电阻等参数计划。通常来说电流在ID以内，动作时刻在30微秒以内是比照安全的。

　　IGBT的驱动和短路维护

　　IGBT作为一种新式的功率器材，具有电压和电流容量高档利益，开关速度远高于双极型晶体管而略低于MOS管，因此广泛地运用在各种电源范畴里，在中大功率逆变器中也得到广泛运用。

　　IGBT缺陷，一是集电极电流有一个较长时刻的拖尾——关断时刻比照长，所以关断时通常需求参与负的电压加快关断；二是抗DI/DT的才干比照差，假定像维护MOS管相同在很大的短路电流的时分活络关断MOS管极或许在集电极致使很高的DI/DT，使UCE因为引脚和回路杂散电感的影响感应出很高的电压而损坏。

　　IGBT的短路维护通常是检查CE极的丰满压降完毕，当集电极电流很大或短路时，IGBT退出丰满区，进入拓宽区。上面说过这时咱们不能直接活络关断 IGBT，咱们可以降低栅极电压来减小集电极的电流以延伸维护时刻的耐量和减小集电极的DI/DT.假定不选用降低栅极电压来减小集电极的电流这个办法的话通常2V以下丰满压降的IGBT的短路耐量只需5μS；3V丰满压降的IGBT的短路耐量大概十-15μS，4-5 V丰满压降的IGBT的短路耐量大概是30μS.

　　还有一点，降栅压的时刻不能过快，通常要操控在2μS分配，也即是说为了使集电极电流从很大的短路电流降到过载维护的1.2-1.5倍通常要操控在2μS 分配，不能过快，在过载维护的延时以内假定短路不见的话是可以主动康复的，假定仍然坚持在逾跳过载维护电流的话由过载维护电路关断IGBT.

　　所以IGBT的短路维护通常是协作过载维护的，下面是一个TLP250添加慢降栅压的驱动和短路维护的运用电路图：

　　图2中电路正常作业时，ZD1的负端的电位因D2的导通而使ZD1短少以导通，Q1，截止；D1的负端为高电平所以Q3也截止。C1未充电，两头的电位为 0.IGBTQ3短路撤离出丰满状况，集电极电位活络上升，D2由导通转向截止。当驱动信号为高电平常，ZD1被击穿，C2可以使Q1的注册有一小段的延时，使得Q3导通时可以有一小段的降低时刻，避免了正常作业时维护电路的误维护。ZD1被击穿后Q1因为C2的存在经过一段很短的时刻后延时导通，C1开端经过R4，Q1充电，D1的负端电位开端降低，当D1的负端电位开端降低到D1与Q3be结的压降之和时Q3开端导通，Q2、Q4基极电位开端降低，Q3的栅极电压也开端降低。当C1充电到ZD2的击穿电压时ZD2被击穿，C1接连充电，降栅压的进程也完毕，栅极电压被钳位在一个固定的电平上。 Q3的集电极电流也被降低到一个固定的水平上。

上一篇：通用阵列逻辑器材的利益

下一篇：底子差分式拓宽电路