因为BJT自身参数具懈怠性且会随Q点改动而改动，因而在运用H参数等效电路来剖析拓宽电路时，首要有必要得到BJT在Q点处的H参数。

取得H参数的办法:

图1

1、可选用H参数查验仪，或运用BJT特性图示仪丈量b和rbe。

2、也能够凭仗公式进行核算rbe：

式中rb为基区体电阻，关于低频小功率管，rb约为200W 分配。re为发射结电阻。（1+b）re是re折算到基极回路的等效电阻，依据PN结的V-I 特性表达式，能够导出re的值为VT（mV）/IE（mA）。这么，式（1）可改写为

式中VT为温度的电压当量，在室温（300K）时，其值为26mV。应当留神的是，式（2）的适用方案为0.1mA<IE<5mA，试验标明，逾越此方案，将带来较大的过错。

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