PN结的特性
(一)PN结的单导游电性 | ||||||||||||||||||||
PN结具有单导游电性。外加正向电压时,空间电荷区变窄,流过一个较大的正向电流。外加反向电压时,空间电荷区变宽,流过一个很小的反向丰满电流。 | ||||||||||||||||||||
(二)PN结的伏安特性 | ||||||||||||||||||||
![]() | ||||||||||||||||||||
PN结的伏安特性方程为: | ||||||||||||||||||||
![]() | ||||||||||||||||||||
① U>0且U >>UT时 | ![]() | |||||||||||||||||||
![]() | ||||||||||||||||||||
即正向电流随正向电压的增大按指数规矩活络增大。 | ||||||||||||||||||||
② U<0且│U│>>UT时: | ![]() | |||||||||||||||||||
![]() | ||||||||||||||||||||
即加反向电压时,只流过很小的反向丰满电流。 | ||||||||||||||||||||
(三)PN结的反向击穿 | ![]() | |||||||||||||||||||
反向击穿电压:发作击穿所需的反向电压UBR. PN结的反向击穿:当加到PN结上的反向电压增大到某个数值时,反向电流急剧添加。 特征:跟着反向电流急剧添加,PN结的反向电压值添加很少。 | ||||||||||||||||||||
![]() |
(四)PN结的电容效应 | ||||||||||
1.势垒电容 | ||||||||||
![]() | ||||||||||
PN结加正向电压,使空间电荷区变窄;PN结加反向电压,使空间电荷区变宽。 区间电荷随外加电压改动而增大或减小,构成了电容效应,称为势垒电容CB。 | ||||||||||
2.懈怠电容 | ||||||||||
![]() | ||||||||||
以 P 区为例:当外加电压增大时,非平衡少子浓度跋涉,曲线由1变为2;同理,外加电压减小时,非平衡少子浓度降低。这 | ||||||||||
样,懈怠到两头的少子受外加电压巨细操控,构成电容效应,称为懈怠电容C。 |
上一篇:集成运算拓宽器的符号和参数
相关推荐
最新更新
推荐阅读
猜你喜欢
电工推荐
![电工技术基础_电工基础知识_电工之家-电工学习网](/skin/images/guanzhu.jpg)