1、构造
在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个电极，榜首基极与第二基极，这两个基极之间的电阻约为2—12KΩ。在两个基极之间，设法掺入P型杂质铝，引出电极变成发射极，因为只需一个PN结，故称单结晶体管。

2、特性
1）当Q1断开Q2闭合时，外加基极电压由Rb1Rb2分压，
UA=ηUbb

2）当Ubb断开，Q1闭合加上Ue时，二极管与Rb1构成串联电路，发射极电压与电流的伏安特性如图所示。
3）管子加上必定的基极电压，Ue从零开端增大，当小于UA时，二极管反偏，只需很小的反向漏电流；当Ue再增大，二极管开规矩偏，到峰值电压时，发射极电流显着增大，Rb1减小，呈现一个与惯例相反的景象，电压随电流的增大而减小，即动态电阻为负值，这便是单结晶体管所特有的负阻特性。
4）跟着电压的逐步减小，小于谷点电压时管子将从头截止。

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