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N沟道耗尽型MOS管

2017-09-05 10:32分类:电工考证知识 阅读:

 

1、构造和符号

vGS ↓→导电沟道 vGS VP →沟道夹断


2、特性曲线

(1)输出特性 iD=f (vGS)½vDS=常数


(2)搬运特性 iD=f (vGS)½vDS=常数


增强型MOS管特性曲线小结

耗尽型MOS管特性曲线小结

双极型三极管与场效应三极管的比照

双极型三极管 场效应三极管

构造 NPN 结型 N沟道 P沟道

PNP 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道

分类 CE通常不行 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道

倒置运用 DS有的类型可倒置运用

载流子 多子懈怠少子漂移 多子漂移

输入量 电流输入 电压输入

操控 电流操控电流源 电压操控电流源

噪声 较大 较小

温度特性 受温度影响较大 较小,且有零温度系数点

输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上

静影片响 不受静影片响 易受静影片响

集成技能 不易大计划集成 适合大计划和超大计划集成

运用MOSFET中留神机项

构造上漏极和源极可以沟通,条件是衬底有引线引出。 原理上MOSFET是绝缘栅输入构造,没有电荷的泄放通道,很简略构成静电击穿。存取时尤须留神,不运用时须将各电极短路。 MOSFET在焊接时,静电击穿的风险更大。所以不论器材内部是不是有静电维护,均须接地超卓焊接或断电后余热焊接。 结型场效应管的栅源电压不能接反。

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