CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联构成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种装备能够大幅下降功耗，因为在两种逻辑状况中，两个晶体管晶体管 的供货商中的一个老是截止的。处理速率也能得到极好的跋涉，因为与NMOS型和PMOS型反相器比照，CMOS反相器的电阻电阻的供货商相对较低。

(1) 静态功耗极低。在安稳时，CMOS反相器作业在作业区Ⅰ和作业区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状况，流过的电流为极小的漏电流。　　

(2) 抗烦扰才干较强。因为其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号改动时，过渡改动峻峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似持平，且随电源电压添加，抗烦扰才干增强。　　

(3) 电源运用率高。VOH=VDD，一起因为阈值电压随VDD改动而改动，所以容许VDD有较宽的改动方案，通常为+3～+18V。　　

(4) 输入阻抗高，带负载才干强。

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