金属—氧化物—半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）构造的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管一同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。

· 微直流功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。

· 高噪声容限—CMOS电路的噪声容限通常在40%电源电压以上。

· 宽作业电压计划—CMOS电路的电源电压通常为1.5~18伏。

· 高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的高低抵达全电压的

· “1”为VDD，逻辑“0”为VSS。

· 高输入阻抗—CMOS电路的输入阻抗大于十8Ω,通常可达十十Ω。

· 高扇出才干—CMOS电路的扇出才干大于50。

· 低输入电容—CMOS电路的输入电容通常不大于5PF。

· 宽作业温度计划—陶瓷封装的CMOS电路作业温度计划为 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。

· 悉数的输入均有删维护电路，超卓的抗辐照特性等。

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