由场效应管构成拓宽电路时，也要树立适宜的静态作业点Q，而且场效应管是电压操控器材，因而需要有适宜的栅-源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种办法，即自偏压电路和分压式自偏压电路。

1．自偏压电路

图1(a)所示电路是一个自偏压电路，其间场效应管的栅极经过电阻Rg接地，源极经过电阻R 接地。这种偏置办法靠漏极电流ID在源极电阻R上发作的电压为栅-源极间供应一个偏置电压VGS，故称为自偏压电路。静态时，源极电位VS=IDR。由于栅极电流为零，Rg上没有电压降，栅极电位VG=0，所以栅源偏置电压VGS= VG–VS= –IDR 。耗尽型MOS管也可选用这种办法的偏置电路。

图1(b)所示电路是自偏压电路的特例，其间VGS=0。显着，这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，由于在栅源电压大于零、等于零和小于零的必定计划内，耗尽型MOS管均能正常作业。

增强型MOS管只需在栅-源电压抵达其翻开电压VT时，才有漏极电流ID发作，因而这类管子不能用于图1所示的自偏压电路中。

2．分压式偏置电路

分压式偏置电路是在自偏压电路的根底上加接分压电路后构成的，如图2所示。静态时，由于栅极电流为零，Rg3上没有电压降，所以栅极电位由Rg2与Rg1对电源VDD分压得到，即 。源极电位VS=IDR，因而栅源直流偏置电压 。

这种偏置办法一样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管构成的拓宽电路。

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