1．特性曲线和电流方程

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、丰满区、截止区和击穿区几有些。搬运特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作拓宽器材运用时是作业在丰满区(恒流区),此刻iD简直不随vDS而改动,即纷歧样的vDS所对应的搬运特性曲线简直是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条搬运特性曲线替代丰满区的悉数搬运特性曲线,与结型场效应管相相似。在丰满区内,iD与vGS的近似联络式为

<XML:NAMESPACE PREFIX = V /><XML:NAMESPACE PREFIX = O /> ( vGS＞VT )

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

2. 参数

MOS管的首要参数与结型场效应管底子一样，仅仅增强型MOS管中不必夹断电压VP，而用翻开电压VT表征管子的特性。

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