1、构造和符号

栅极与别的两个电极是互相绝缘的

接连线标明栅源电压vGS=0时，

FET内部不存在导电沟道

箭头方向标明由P(衬底)指向N(沟道)

2、工作原理

（1）栅源电压VGS的操控效果

）当VGS=0时：漏源间没有导电的沟道，iD=0

S、D之间恰当于两个背靠背的二极管，故不论VDS极性如何，总有一个二极管是反偏的，无电流流过。

2）当vGS >0时，发作电场，架空空穴，招引电子，电子与空穴相复合构成耗尽层。

3）当vGS 增大到某一个值（翻开电压VT）时， 电场招引更多电子到衬底外表，构成N型导电薄层，称为反型层。即vGS=VT时，导电沟道开端构成。

4）vGS > VT 后：vGS ↑→沟道厚度 ↑→沟道电阻↓→ID↑, 完毕了电压操控电流。

这种在VGS=0时没有导电沟道，只需当VGS＞VT后才构成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。

（2） vDS对 iD的影响

设vGS>VT 且为一常数

电位 S ← D S ← D

低←高 宽 ←窄

有导电沟道的条件

↑→rDS↑(慢)→iD↑

当VDS持续添加，满意

VGD= VGS-VDS =VT时，漏端导

电沟道开端夹断，称为预夹断。

VDS = VGS- VT .预夹断后，iD简直不变

3、特性曲线

（1）输出特性

VGS < VＴ全夹断状况

( 2 ) 搬运特性

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