反向击穿电压标明三极管电极直接受反向电压的才干，其测验时的原理电路如图1所示。

图1 三极管击穿电压的测验电路
1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。
2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
关于V(BR)CER标明BE直接有电阻，V(BR)CES标明BE间是短路的。几个击穿电压在巨细上有如下联络：
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还能够断定过损耗区、过电流区和击穿区，见图2。

图2 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区

上一篇：电子电路多见毛病类型及处理办法

下一篇：数字逻辑电路识图办法