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IGBT高压大功率驱动和维护电路的运用解析

2017-07-31 17:21分类:机械维修 阅读:

 

IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子设备中得到了广泛运用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的利益于一体,具有电压操控、输入阻抗大、驱动功率小、操控电路简略、开关损耗小、通断速度快和作业频率高档利益。
可是,IGBT和其它电力电子器材相同,其运用还依托于电路条件和开关环境。因此,IGBT的驱动和保护电路是电路方案的难点和要害,是悉数设备作业的要害环节。

为处理IGBT的牢靠驱动疑问,国外各IGBT出产厂家或从事IGBT运用的公司开宣告了许多的IGBT驱动集成电路或模块,如国内常用的日本富士公司出产的EXB8系列,三菱电机公司出产的M579系列,美国IR公司出产的IR21系列等。可是,EXB8系列、M579系列和IR21系列没有软关断和电源电压欠压保护功用,而惠普出产的HCLP一316J有过流保护、欠压保护和1GBT软关断的功用,且报价相对廉价,因此,这篇文章将对其进行研讨,并给出1700V,200~300AIGBT的驱动和保护电路。

1、IGBT的作业特性

IGBT是一种电压型操控器材,它所需求的驱动电流与驱动功率十分小,可直接与模仿或数字功用块相接而不须加任何附加接口电路。IGBT的导通与关断是由栅极电压UGE来操控的,当UGE大于翻开电压UGE(th)时IGBT导通,当栅极和发射极间施加反向或不加信号时,IGBT被关断。

IGBT与通常晶体三极管相同,可作业在线性拓宽区、丰满区和截止区,其首要作为开关器材运用。在驱动电路中首要研讨IGBT的丰满导通和截止两个状况,使其注册上升沿和关断下降沿都比照峻峭。

2、IGBT驱动电路恳求

在方案IGBT驱动时有必要留心以下几点。

1)栅极正向驱动电压的巨细将对电路功用发作首要影响,有必要精确挑选。当正向驱动电压增大时,.IGBT的导通电阻下降,使注册损耗减小;但若正向驱动电压过大则负载短路时其短路电流IC随UGE增大而增大,或许使IGBT呈现擎住效应,致使门控失效,然后构成IGBT的损坏;若正向驱动电压过小会使IGBT退出丰满导通区而进入线性拓宽区域,使IGBT过热损坏;运用中选12V≤UGE≤18V为好。栅极负偏置电压可避免由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通,通常负偏置电压选一5V为宜。别的,IGBT注册后驱动电路应供给满意的电压和电流幅值,使IGBT在正常作业及过载状况下不致退出丰满导通区而损坏。

2)IGBT活络注册和关断有利于跋涉作业频率,减小开关损耗。但在大电感负载下IGBT的开关频率不宜过大,由于高速注册和关断时,会发作很高的尖峰电压,极有或许构成IGBT或别的元器材被击穿。

3)挑选适合的栅极串联电阻RG和栅射电容CG对IGBT的驱动恰当首要。RG较小,栅射极之间的充放电时刻常数比照小,会使注册刹那间刻电流较大,然后损坏IGBT;RG较大,有利于按捺dvce/dt,但会添加IGBT的开关时刻和开关损耗。适合的CG有利于按捺dic/dt,CG太大,注册时刻延时,CG太小对按捺dic/dt效果不显着。

4)当IGBT关断时,栅射电压很简略受IGBT和电路寄生参数的烦扰,使栅射电压致使器材误导通,为避免这种景象发作,能够在栅射间并接一个电阻。此外,在实习运用中为避免栅极驱动电路呈现高压尖峰,最佳在栅射间并接两只反向串联的稳压二极管,其稳压值应与正负栅压相同。

3、HCPL-316J驱动电路

3.1HCPL-316J内部构造及作业原理

HCPL-316J的内部构造如图1所示

其外部引脚如图2所示

从图1能够看出,HCPL-316J可分为输入IC(左面)和输出IC(右边)二有些,输入和输出之间彻底能满意高压大功率IGBT驱动的恳求。

各引脚功用如下:

脚1(VIN+)正向信号输入;

脚2(VIN-)反向信号输入;

脚3(VCG1)接输入电源;

脚4(GND)输入端的地;

脚5(RESERT)芯片复位输入端;

脚6(FAULT)缺陷输出,当发作缺陷(输出正向电压欠压或IGBT短路)时,经过光耦输出缺陷信号;

脚7(VLED1+)光耦查验引脚,悬挂;

脚8(VLED1-)接地;

脚9,脚10(VEE)给IGBT供给反向偏置电压;

脚11(VOUT)输出驱动信号以驱动IGBT;

脚12(VC)三级达林顿管集电极电源;

脚13(VCC2)驱动电压源;

脚14(DESAT)IGBT短路电流查看;

脚15(VLED2+)光耦查验引脚,悬挂;

脚16(VE)输出基准地。

其作业原理如图1所示。若VIN+正常输入,脚14没有过流信号,且VCC2-VE=12v即输出正向驱动电压正常,驱动信号输出高电平,缺陷信号和欠压信号输出低电平。首要3路信号一同输入到JP3,D点低电平,B点也为低电平,50×DMOS处于关断状况。此刻JP1的输入的4个状况从上至下顺次为低、高、低、低,A点高电平,驱动三级达林顿管导通,IGBT也随之注册。

若IGBT呈现过流信号(脚14查看到IGBT集电极上电压=7V),而输入驱动信号持续加在脚1,欠压信号为低电平,B点输出低电平,三级达林顿管被关断,1×DMOS导通,IGBT栅射集之间的电压逐步放掉,结束慢降栅压。当VOUT=2V时,即VOUT输出低电平,C点变为低电平,B点为高电平,50×DMOS导通,IGBT栅射集活络放电。缺陷线上信号经过光耦,再经过RS触发器,Q输出高电平,使输入光耦被关闭。同理能够剖析只欠压的状况和即欠压又过流的状况。

3.2驱动电路方案

驱动电路及参数如图3所示。

HCPL-316J左面的VIN+,FAULT和RESET别离与微机相连。R7,R8,R9,D5,D6和C12起输入保护效果,避免过高的输入电压损坏IGBT,可是保护电路会发作约1µs延时,在开关频率逾越100kHz时不适合运用。Q3最首要起互锁效果,当两路PWM信号(同一桥臂)都为高电往常,Q3导通,把输入电平拉低,使输出端也为低电平。图3中的互锁信号Interlock,和Interlock2别离与别的一个316JInterlock2和Interlock1相连。R1和C2起到了对缺陷信号的拓宽和滤波,当有烦扰信号后,能让微机精确承受信息。

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