无缺的功率容限曲线
降低三极管的发热损耗
拓宽倍数hFE和储存时刻ts
功率容限(SOA)是一个曲线围住的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值跨过曲线计划时，三极管将发作功率击穿而损坏。在实习运用中，某些开关电源线路负载为理性，三极管关断后，电感负载发作的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管有必要有满意的SOA、BVceo和BVcbo值才调接受这么的反压。

有必要留心：如今通常三极管运用厂家不具有查验SOA的条件，即即是有条件的半导体三极管出产厂家，具有查验该方针的才调，可是仪器查验出的通常仅仅安全作业区间隔点上的数值，而不是SOA曲线的悉数。这么就有或许呈现：在一点上SOA值彻底相同的两对三极管，实习线路上运用进程中，一对三极管损坏了，而别的一对却没有损坏。

因此，在挑选灯用三极管的进程中，必定要找到器材出产厂家供应的无缺SOA曲线。

降低三极管的发热损耗

如今，节能灯、电子镇流器广泛选用上下管轮番导通作业的线路，电感负载发作的自感电势反峰电压经由导通管泄放，所以广泛感到三极管常温下SOA值在节能灯、电子镇流器线路中不十分活络。而降低三极管的发热损耗却致使了业界的广泛重视，这是由于三极管的二次击穿容限是跟着温度的增加而降低的(图2)。

三极管在电路中作业一段时刻往后，线路元器材会发热(包含管子自身的发热)，温度不断上升致使三极管hFE增大，开关功用变差，二次击穿特性降低。反过来，进一步推动管子发热量增大，这么的恶性循环终究致使三极管击穿焚毁。因此，降低三极管自身的发热损耗是跋涉三极管运用牢靠性的首要办法。

试验标明：晶体管截止状况的功耗很小；导通状况的耗散占必定份额，但改动境地不大。晶体管耗散首要发作在由丰满向截止和由截止向丰满的过渡期间，并且与线路参数的挑选及三极管的上升时刻tr、降低时刻tf有很大联络。

近期几年，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都充沛留心到降低商品的开关损耗，例如，国产BUL6800系列商品在优化MJE13000系列商品的根底上，大幅跋涉了商品的开关损耗功用。

此外，操控磁环参数也有利于操控损耗。由于磁环参数的改动会致使三极管Ib的改动，影响三极管上升和降低时刻。三极管过驱动能够构成三极管严峻发热焚毁，而三极管驱动短少，则或许构成三极管冷态主张时瞬时击穿损坏。

拓宽倍数hFE和储存时刻ts

三极管的hFE参数与储存时刻ts有关，通常hFE大的三极管ts也较大，曩昔咱们对ts的知道以及ts的丈量仪器均较为短少，咱们更依托hFE参数来挑选三极管。

在开关状况下，hFE的挑选通常有以下知道：榜首、hFE应尽或许高，以便用起码的基极电流得到最大的作业电流，一同给出尽或许低的丰满电压，这么就能够一同在输出和驱动电路中降低损耗。

可是，假定思考到开关速度和电流容限，则hFE的最大值就遭到绑缚；第二、我国的厂家早年倾向于选用hFE较小的器材，例如hFE为10到15，乃至8到10的三极管就一度很受等候(后来，由于基极回路盛行选用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则丰满深度小，然后有利于降低晶体管的发热。

实习上，晶体管的丰满深度遭到Ib、hFE两个要素的影响，因此经过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也能够降低丰满深度。

如今，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分重视对储存时刻的操控。由于储存时刻ts过长，电路的振动频率将降低，整机的作业电流增大易致使三极管的损坏。尽管能够调整扼流圈电感及别的元器材参数来操控整机功率，但ts的离散性，将使商品的一同性差，牢靠性降低。例如，在石英灯电子变压器线路中，储存时刻太大的晶体管或许致使电路在低于输出变压器作业极限的频率振动，然后构成每个周期的完毕磁芯丰满，这使得晶体管Ic在每个周期呈现尖峰，终究致使器材过热损坏(图3)。

假定同一线路上的两个三极管储存时刻相差太大，整机作业电流的上下半波将严峻不对称，背负重的那只三极管将简略损坏，线路也将发作更多的谐波和电磁烦扰。

实习运用标明，严峻操控储存时刻ts并恰当调整整机电路，就能够降低对hFE参数的依托程度。还值得一提的是，在芯片面积必定的状况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是敌视的，我国商场早年用BUT11A来做220V40W电子镇流器，其动身点是BVceo、BVcbo数值高，可是如今绝大有些电子镇流器线路中，现已没有必要过高挑选三极管的电压参数。

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