只读存储器（ROM）的信息在制作时或经过必定的编程办法写入，在体系中通常只能读出不能写入。在断电时，其信息不会扔掉，它用来寄存固定的程序及数据，如监控程序、数据表格等。
　　只读存储器能够分为掩膜式ROM、一次性编程PROM、可重复编程的则有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
　　掩膜式ROM也称固定ROM。它是由半导体出产厂根据用户的恳求，在出产进程中根据用户供给的程序或数据制作。制成往后，用户只能读出其信息而不能加以批改。它适用于定型商品的批量出产。
　　一次性编程PROM可供用户经过编程器写入一次程序或数据。写入往后其内容不容许批改。这么用户可自即将无须批改的程序或数据写入 ROM，如写入后发现其内容还需批改，只能将此芯片作废，从头取用一片新的。它适用于批量较小的场合。
　　EPROM是一种运用光擦除的能够重复擦、写的只读存储器。用户可经过编程器写入程序。当需求批改时，可用紫外光经过芯片上的石英玻璃窗照耀芯片15～20分钟，将芯片内的信息悉数擦除。此刻悉数单元的内容均为"1"。用户可将其再次写入信息。EPROM运用比照活络，当用户写入一程序后发现有些数据需批改时，能够将其内容擦去后再次写入。它在科研及小批量出产进程中运用较遍及。
　　EPROM的擦或写均需专用设备。即便要批改一个数据也有必要将芯片从体系中拆下，把信息悉数擦除后再次从头写入。而在实习运用中，通常只恳求批改一个或少量几个数据。EEPROM和Flash Memory在这方面显现了其优胜性，是如今用得较多的大容量只读存储器。与光擦除的EPROM纷歧样的是，它选用了电擦除的办法，而编程也无须经过专用的编程器进行，可在运用体系中直接编程。在写入的一同即擦除了原有的信息，通常在器材的内部发作编程所需的高电压，用户只需5V的电压即可对其进行操作。
　　E2PROM的数据读出相似于静态RAM（SRAM）的数据读出，数据写入分为字节写入和页写入两种办法。在器材内包含了一个64字节的页寄存器，容许最多写入64个字节（一页）的数据。写入操作包含数据锁存和编程2个进程，写周期最大为10ms。在写入操作的一同，原先的数据即被擦除。
　　Flash Memory的数据读出相似于静态RAM（SRAM）的数据读出。数据写入为页写入办法。在器材内包含了一个64字节的页寄存器，恳求一次写入64个字节（一页）的数据，写入操作包含数据锁存和编程2个进程，写周期最大为10ms。在编程时，一页中未装入的数据将为不断定数据。在写入操作的一同，原先的数据即被擦除。

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